RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2014
2902
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link