RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Comparez
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Note globale
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
30
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2014
3506
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link