RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
36
Autour de 14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
36
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
9.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2735
2090
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link