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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Note globale
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
31
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
28
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2735
3660
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
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Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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