RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
31
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
14.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
3660
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link