RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
31
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
14.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
3660
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link