RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
38
Autour de 18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
38
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2735
2346
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link