RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
73
Autour de 58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
73
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2735
1724
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link