RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
73
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
73
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
1724
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link