RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
73
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
73
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
1724
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Inmos + 256MB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
INTENSO M418039 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link