Porównanie pamięci RAM Kingston KVR533D2N4 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Wynik ogólny

Kingston KVR533D2N4 512MB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB

Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 75

Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

18.1 1

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

14.8 1,672.1

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 4200

Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Kingston KVR533D2N4 512MB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

4-4-4-12 / 533 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

301 3564

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns