Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

总分
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Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

总分
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    28 left arrow 75
    左右 -168% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    18.1 left arrow 1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    14.8 left arrow 1,672.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 4200
    左右 4.05 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    75 left arrow 28
  • 读取速度,GB/s
    1,943.5 left arrow 18.1
  • 写入速度,GB/s
    1,672.1 left arrow 14.8
  • 内存带宽,mbps
    4200 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    301 left arrow 3564
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RAM 1
RAM 2

最新比较