RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
75
Около -168% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
28
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
3564
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link