RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
36
Autour de -6% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
34
Vitesse de lecture, GB/s
16.4
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
11.0
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2729
2468
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link