RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
36
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2729
2468
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link