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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Note globale
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
36
Autour de -3% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
35
Vitesse de lecture, GB/s
16.4
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.0
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2729
2768
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
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