RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Note globale
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
58
Autour de 38% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
58
Vitesse de lecture, GB/s
16.4
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.0
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2729
1968
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GRSL 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link