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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Note globale
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
97
Autour de 65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
97
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.3
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2968
1479
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
CompuStocx (CSX) 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
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