RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Note globale
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
34
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
22
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.3
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2968
2623
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9W 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link