RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
34
Autour de -26% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
27
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
11.3
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2968
2436
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link