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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 -26% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
27
读取速度,GB/s
16.8
14.1
写入速度,GB/s
11.3
8.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2436
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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