RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
34
Autour de -10% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
11.3
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2968
2605
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link