RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
34
Autour de -26% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
27
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.3
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2968
2140
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link