RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Note globale
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
76
Autour de 63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
76
Vitesse de lecture, GB/s
18.2
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3067
1718
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link