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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
総合得点
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
総合得点
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
76
周辺 63% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.2
14.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.5
7.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
76
読み出し速度、GB/s
18.2
14.4
書き込み速度、GB/秒
11.5
7.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3067
1718
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
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