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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
17
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de -12% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
25
Vitesse de lecture, GB/s
18.2
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3067
2912
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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