RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
42
Autour de 12% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
42
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3170
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link