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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Raisons de considérer
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
94
Autour de -147% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
38
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
2382
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
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