RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Comparar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
94
Por volta de -147% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
38
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
11.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
2382
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link