RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
34
Autour de 18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
34
Vitesse de lecture, GB/s
18.2
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3067
3055
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link