RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Comparez
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Note globale
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
30
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2213
3273
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ME68FAF1600 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link