RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,076.1
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
59
Autour de -37% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
43
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
2615
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link