RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
59
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
43
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2615
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link