RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
28
Autour de -27% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
22
Vitesse de lecture, GB/s
18.2
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3067
3035
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston 9905320-021.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link