RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
28
Autour de -27% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
22
Vitesse de lecture, GB/s
18.2
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3067
3035
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link