RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
28
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
12.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3067
3035
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link