RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
28
Autour de -56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.4
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.1
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
18
Vitesse de lecture, GB/s
18.2
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3067
3529
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link