RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
28
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
18
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
3529
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link