RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
30
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3171
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link