RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
30
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3171
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link