RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs INTENSO 5641160 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Note globale
INTENSO 5641160 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
23
Autour de 9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
INTENSO 5641160 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
21
23
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.2
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3130
2613
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
INTENSO 5641160 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link