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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Note globale
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
28
Autour de 25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
21
28
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.2
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3130
2663
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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