RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Comparez
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
31
Autour de 6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
24
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
20.0
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
31
Vitesse de lecture, GB/s
24.0
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
20.0
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
4156
2554
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link