RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Comparez
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
24
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
20.0
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
29
Autour de -32% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
22
Vitesse de lecture, GB/s
24.0
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
20.0
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
4156
3288
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link