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G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Comparez
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Note globale
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
14
31
Autour de 55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
25.1
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.3
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
14
31
Vitesse de lecture, GB/s
25.1
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
19.3
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
4182
2713
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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