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G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
比较
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
总分
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
总分
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
14
31
左右 55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
25.1
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.3
9.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
14
31
读取速度,GB/s
25.1
15.7
写入速度,GB/s
19.3
9.5
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
4182
2713
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
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