RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
63
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
31
读取速度,GB/s
3,231.0
15.7
写入速度,GB/s
1,447.3
9.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2713
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
‹
›
报告一个错误
×
Bug description
Source link