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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
63
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
9.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2713
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
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HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
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