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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
比较
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
总分
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
28
读取速度,GB/s
14.7
18.5
写入速度,GB/s
9.1
13.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2496
3444
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PNY Electronics PNY 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
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