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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
16.7
18.5
写入速度,GB/s
11.8
13.5
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
3444
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM的比较
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
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Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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