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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
38
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
31
读取速度,GB/s
13.9
14.8
写入速度,GB/s
8.7
11.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
3122
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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