RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
49
Autour de -123% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
2,066.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
12.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
1886
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link