Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB

Note globale
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

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Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    49 left arrow 105
    Autour de 53% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,066.5 left arrow 2,016.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    6400 left arrow 5300
    Autour de 1.21% bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    49 left arrow 105
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,577.1 left arrow 2,861.2
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,066.5 left arrow 2,016.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow no data
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    737 left arrow 672
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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